#1 |
数量:2925 |
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最小起订量:15 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:3000 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:2811 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
ATP202 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 50A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 12 mOhm @ 25A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | - |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 27nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1650pF @ 10V |
功率 - 最大 | 40W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | ATPAK (2 leads+tab) |
供应商器件封装 | ATPAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3ATPAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 30 V |
最大连续漏极电流 | 50 A |
RDS -于 | 12@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 16 ns |
典型上升时间 | 185 ns |
典型关闭延迟时间 | 93 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
包装宽度 | 7.3 |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 1.5 |
最大功率耗散 | 40000 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 12@10V |
最大漏源电压 | 30 |
每个芯片的元件数 | 1 |
标签 | Tab |
供应商封装形式 | ATPAK |
包装长度 | 6.5 |
PCB | 2 |
最大连续漏极电流 | 50 |
引脚数 | 3 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 50A (Ta) |
供应商设备封装 | ATPAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 12 mOhm @ 25A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 40W |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1650pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 27nC @ 10V |
封装/外壳 | ATPAK (2 leads+tab) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | 869-1078-1 |
RoHS | RoHS Compliant |
高度 | 1.5mm |
晶体管材料 | Si |
类别 | 功率 MOSFET |
长度 | 6.5mm |
典型输入电容值@Vds | 1650 pF @ 10 V |
通道模式 | 增强 |
安装类型 | 表面贴装 |
每片芯片元件数目 | 1 |
最大漏源电阻值 | 20 mΩ |
通道类型 | N |
Board Level Components | Y |
最高工作温度 | +150 °C |
最大栅阈值电压 | 2.6V |
最大功率耗散 | 40 W |
最大栅源电压 | ±20 V |
宽度 | 7.3mm |
尺寸 | 6.5 x 7.3 x 1.5mm |
最大漏源电压 | 30 V |
典型接通延迟时间 | 16 ns |
典型关断延迟时间 | 93 ns |
封装类型 | ATPAK |
最大连续漏极电流 | 50 A |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时,27 常闭 |
工厂包装数量 | 3000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
系列 | ATP202 |
品牌 | ON Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | 50 A |
安装风格 | SMD/SMT |
Rds On - Drain-Source Resistance | 12 mOhms |
封装/外壳 | ATPAK-3 |
技术 | Si |
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